硅通孔（TSV）加工
微納米提供概念驗證及制造
微流控及柔性電極加工及測試
超滑器件加工測試
工藝展示
工藝展示
平臺目前已整合的先進工藝包括
光刻（紫外光刻，激光直寫，電子束光刻，Talbot光刻等）
鍍膜（PVD、CVD、ALD等）
刻蝕（ICP、RIE、IBE、濕法等）
鍵合
CMP
表征測試
封裝
可以承接：材料制備，器件工藝，器件加工，材料測試/器件測試
平臺提供業(yè)內(nèi)通用制造能力
特色工藝——超滑材料相關(guān)工藝
平臺主要提供碳材料（石墨，石墨烯，石墨島，DLC碳膜）生長和器件加工工藝。
超滑材料生長
圖形化工藝
批量自動化轉(zhuǎn)移
封裝測試
工藝展示
大面積激光直寫/微透鏡陣列/256階灰度
微透鏡通常采用激光直寫灰度曝光或光刻膠熱回流工藝，個別要求配套刻蝕轉(zhuǎn)移微結(jié)構(gòu)至硬質(zhì)基底。
微透鏡可基于微納米光學(xué)角度實現(xiàn)聚焦、成像，光束變換等功能。由于單元尺寸小、集成度高，使其構(gòu)成多種新型光學(xué)系統(tǒng)，完成傳統(tǒng)光學(xué)元件無法完成的功能。
納米光學(xué)/納米壓印模板/大面積光柵曝光（nm級）
納米壓印模板，一般指普通硅材料模板，結(jié)構(gòu)單元尺寸大多為納米尺度，但圖形面積極大（厘米級），用于納米壓印生產(chǎn)。大部分模板都需要用到電子束曝光配套刻蝕來實現(xiàn)初始模板制作，由于電子束曝光成本高昂，后續(xù)通過納米壓印復(fù)制模板的工藝來降低生產(chǎn)成本。一般用于AR/VR鏡片，光電或其他光學(xué)器件，太陽能電池等。
硅基光電子/超表面/衍射光學(xué)元件
硅基光電子器件，多采用硅/氮化硅/鈮酸鋰等基底制備加工，其中SOI較為常用，一般加工光子晶體，光柵，波導(dǎo)，微環(huán)，諧振腔等結(jié)構(gòu)。主要有集成度高，以光子代替電子傳遞信息熱損耗小，功率損失低，體積小等優(yōu)勢。
超透鏡/超結(jié)構(gòu)多為大高寬比結(jié)構(gòu)，通常采用電子束曝光結(jié)合刻蝕來實現(xiàn)。衍射光學(xué)元件，英文簡稱DOE，其可以保持較高衍射效率的同時對光強分布進行精確控制。
AFM探針懸臂梁
AFM探針懸臂梁是原子力顯微鏡的核心部件，由一端固定、另一端懸著尖銳探針的細(xì)長彈性梁構(gòu)成。其工作原理基于探針與樣品表面之間的相互作用，導(dǎo)致懸臂梁發(fā)生微小偏轉(zhuǎn)。這些偏轉(zhuǎn)通過激光和光電探測器系統(tǒng)被精確檢測并轉(zhuǎn)換為電信號，從而反映出樣品的表面形貌和物理性質(zhì)。懸臂梁的剛度、共振頻率和偏轉(zhuǎn)靈敏度對AFM的成像質(zhì)量和測量精度至關(guān)重要，使得AFM能夠?qū)崿F(xiàn)原子級別的高分辨率表面成像和分析。
TSV深硅/硅濕法腐蝕
通過光刻配合深反應(yīng)刻蝕來實現(xiàn)硅通孔結(jié)構(gòu)的制作，結(jié)合電鍍工藝實現(xiàn)金屬填充，或通過CVD實現(xiàn)多晶硅等材料填充。
濕法腐蝕具有反應(yīng)速率快，各向同性的特征，對某些器件層的釋放以及特定形貌結(jié)構(gòu)制備起著重要作用，如BOE配合臨界干燥可實現(xiàn)大多數(shù)硅基懸臂梁器件制作。
小線寬金屬刻蝕/小線寬金屬剝離
小線寬金屬刻蝕是一種微電子制造工藝,它利用化學(xué)或物理方法精確去除金屬層，以形成微電子器件中的細(xì)小導(dǎo)電線路。小線寬金屬剝離是通過精確的化學(xué)或物理方法移除芯片上的細(xì)小金屬層。這一過程要求高度的選擇性和控制力，以確保僅移除目標(biāo)金屬，而不損害其他材料，從而保持器件的性能和完整性。
介質(zhì)及金屬沉積/原子層沉積
介質(zhì)及金屬沉積是在芯片上形成絕緣層和導(dǎo)電層的過程。通過化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積技術(shù)，將介質(zhì)材料和金屬材料精確地涂覆在硅片表面，以實現(xiàn)器件的絕緣隔離和電路連接。
微納米流道/硅-玻璃陽極鍵合
微流控芯片中常具備微納米流道，便于細(xì)胞或者其他液體進行流通和篩選目標(biāo)結(jié)構(gòu)，不論是微米納米流道，均可以根據(jù)不同尺寸選擇不同的曝光方式結(jié)合刻蝕或是翻模來實現(xiàn)具備微納米流道器件。多用于液滴微流控，細(xì)胞篩選，器官芯片等。
柔性電極
近些年，智能穿戴、醫(yī)用植入、電子皮膚等不斷被提出，柔性電子產(chǎn)品也在快速發(fā)展中，在醫(yī)療，娛樂，航空航天都有著巨大的發(fā)展?jié)摿Γ蛟煜衿つw一樣柔軟的電極，我司柔性電極一般加工襯底為PI/PET/PVA等，電極材料一般為金銀銅等金屬。
石英刻蝕
石英刻蝕通常指的是使用化學(xué)或物理方法去除石英材料表面的過程。石英，也稱為二氧化硅（SiO2），是一種化學(xué)穩(wěn)定性極高的材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光纖通信、光學(xué)元件等領(lǐng)域。石英刻蝕技術(shù)的選擇取決于所需的刻蝕精度、刻蝕速率、刻蝕深度和選擇性等因素在微電子和光電子領(lǐng)域，石英刻蝕技術(shù)常用于制造波導(dǎo)、光柵、微流控芯片等精密器件。